У Японії розробили флеш-пам’ять, яка здатна зберігати 7 біт в осередку
Японська компанія Floadia розробила флеш-пам’ять, яка дозволяє записувати 7 біт даних в один осередок, а також зберігати їх 10 років за температури до 150 °C. Для порівняння, сучасні накопичувачі на основі флеш-пам’яті передбачають запис не більше 4 бітів у комірку.
В основі розробки лягла технологія SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon), створена для мікроконтролерів, в яку були внесені деякі зміни. Компанія змінила структуру утримуючих заряд шарів, використавши плівку Ono, крім того, змінилася структура комірки та контролер накопичувача. Як уточнили розробники, без внесення всіх цих змін 7 бітів у комірці утримувалися не більше 100 секунд.
Присутня на ринку технологія флеш-пам’яті 3D QLC NAND передбачає запис 4 біт на комірку і “запас міцності” приблизно на 1000 циклів перезапису за нормальної температури. У початковому виконанні технологія Floadia SONOS пропонує вищу кількість циклів перезапису (до 100 000 разів) та можливість зберігати дані більш тривалий час (до 10 років). Але є нюанси. Вона призначена для мікроконтролерів, які не вимагають великих обсягів даних і виробляються на основі застарілих технологічних процесорів (55-350 нм). В результаті щільність пам’яті накопичувача поступається традиційним сучасним технологіям, швидкість роботи модулів також невелика.
З усім тим, нова технологія Floadia зможе використовуватися в рішеннях, що передбачають обчислення в пам’яті – компанія має намір використати винахід у прискорювачах для систем штучного інтелекту, в яких вона забезпечить більші показники продуктивності у порівнянні з актуальними рішеннями. Floadia традиційно ліцензує свої технології зацікавленим виробникам. Поки що неясно, чи зможе компанія доопрацювати свою технологію для використання у традиційних чіпах пам’яті 3D NAND.
