Світовий технологічний бренд Samsung оголосив про початок виробництва 3-нанометрових (нм) чіпів. Процес використовує транзисторну архітектуру Gate-All-Around (GAA) і дає енергоефективні чіпи з підвищеною продуктивністю. Samsung також розробляє 3-нм техпроцес другого покоління, який забезпечить значні покращення в кількох сферах.
Samsung каже, що процес 3 нм споживає на 45% менше енергії, покращує продуктивність на 23% і використовує на 16% менше площі, ніж процес 5 нм. Вузол процесу містить транзисторну архітектуру GAA з більшими каналами в затворах, через які протікає електроенергія на нижчому рівні напруги. Це пов’язано з використанням усіх чотирьох сторін каналів, на відміну від архітектури FinFET.
Адаптивність 3-нм технологічного вузла означає, що ширину каналу можна змінювати відповідно до конкретних вимог клієнта. Ця визначна розробка 3-нм чіпів дає Samsung поштовх на ринку. Samsung є другим за величиною ливарним заводом у світі. Однак він є виробником мікросхем і має найбільшу контрактну базу у світі. Найбільший ливарний завод TSMC готується розпочати масове виробництво з використанням власного 3-нм техпроцесу.
Партнери Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) зіграли важливу роль у допомозі Samsung досягти рубежу 3-нм чіпів. Серед них Ansys, Cadence, Siemens і Synopsys. У майбутньому Samsung розширить сферу застосування 3-нм процесу для мобільних процесорів. Samsung замовчує виробника чіпів 3nn. Перші мобільні пристрої на 3-нм чіпах очікуються у 2023 році.
