Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct

На заході IEEE International Electron Devices Meeting 2021 компанія Intel позначила своє бачення розвитку напівпровідників до 2025 року і надалі. Чіпмейкер декларує збільшення щільності міжз’єднань в упаковці більш ніж у 10 разів, покращення щільності транзисторів на 30-50%, великі прориви у технологіях електроживлення та пам’яті, а також нові концепції у фізиці напівпровідників.

Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct

«В Intel ніколи не припиняються дослідження та інновації, необхідні для просування закону Мура. Наша група дослідження компонентів ділиться ключовими науковими досягненнями на IEDM 2021, пропонуючи революційні технології обробки та упаковки для задоволення ненаситного попиту на потужні обчислення, від яких залежать наша галузь і суспільство. Це результат невпинної праці наших найкращих учених та інженерів. Вони продовжують залишатися в авангарді інновацій для розвитку закону Мура», – розповів Роберт Чау (Robert Chau), старший науковий співробітник Intel та генеральний менеджер відділу досліджень.

Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct

Одним зі шляхів розвитку є технологія тривимірного пакування Foveros Direct, у тому числі що забезпечує розмір контактних майданчиків менш як 10 мікронів. Вона значно збільшує щільність міжз’єднань для тривимірного компонування кристалів.

Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct

Ще однією перспективною розробкою є накладання кількох транзисторів, що знаменує перехід до ери пост-FinFET. Очікується, що це покращить масштабування логіки на 30-50% шляхом кратного розміщення більшої кількості транзисторів на квадратний міліметр.

Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct

Intel вже розробила перші у світі перемикачі живлення на основі GaN із кремнієвою структурою КМОП на 300-міліметровій пластині. Вони створюють основу для процесорів, здатних витримувати вищу напругу й одночасно зменшують кількість необхідних допоміжних компонентів. В області оперативної пам’яті йде тестування FeRAM із затримками читання/запису лише 2 нс.

Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct

Intel також прокладає шлях до просування закону Мура в епоху ангстрем, показуючи, як нові матеріали завтовшки всього кілька атомів можуть бути використані для створення транзисторів. На IEDM 2021 Intel продемонструвала першу у світі експериментальну реалізацію магнітоелектричного спін-орбітального логічного пристрою (MESO) при кімнатній температурі, яка показала потенційну можливість виготовлення нового типу транзистора на основі перемикаючих магнітів нанометрового розміру.

Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct
Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct

Джерело