Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct
На заході IEEE International Electron Devices Meeting 2021 компанія Intel позначила своє бачення розвитку напівпровідників до 2025 року і надалі. Чіпмейкер декларує збільшення щільності міжз’єднань в упаковці більш ніж у 10 разів, покращення щільності транзисторів на 30-50%, великі прориви у технологіях електроживлення та пам’яті, а також нові концепції у фізиці напівпровідників. «В Intel ніколи не … Читати далі Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct
Скопіюйте та вставте це посилання до свого WordPress сайту, щоби вставити
Скопіюйте та вставте цей код собі на сайт, щоби вставити