Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct

На заході IEEE International Electron Devices Meeting 2021 компанія Intel позначила своє бачення розвитку напівпровідників до 2025 року і надалі. Чіпмейкер декларує збільшення щільності міжз’єднань в упаковці більш ніж у 10 разів, покращення щільності транзисторів на 30-50%, великі прориви у технологіях електроживлення та пам’яті, а також нові концепції у фізиці напівпровідників. «В Intel ніколи не … Читати далі Intel сподівається на технологічний прорив завдяки тривимірним транзисторам Foveros Direct