Асоціація JEDEC опублікувала специфікацію наступної версії стандарту High Bandwidth Memory (HBM) DRAM – JESD238 HBM3.
HBM3 пропонує вищу пропускну здатність та підвищену швидкість обробки даних у додатках, вимогливих до продуктивності підсистеми пам’яті. Ключовими особливостями пам’яті HBM3 є:
- Подвоєна у порівнянні з HBM2 швидкість передачі даних – до 6,4 Гбіт/с на висновок, що еквівалентно 819 ГБ/с на пристрій.
- Кількість незалежних каналів збільшилася у 2 рази – з 8 у HBM2 до 16 у HBM3. З урахуванням двох псевдоканалів на кожен канал, HBM3 фактично підтримує 32 канали.
- Підтримка 4-, 8- та 12-рівневих стеків TSV з можливістю майбутнього розширення до 16-рівневого стека TSV.
- Підтримка широкого діапазону щільностей від 8 Гбіт до 32 Гбіт на шар пам’яті, що забезпечує місткість пристроїв від 4 ГБ (4 шари по 8 Гбіт) до 64 ГБ (16 шарів по 32 Гбіт); Очікується, що пристрої HBM3 першого покоління будуть представлені шарами щільністю 16 Гбіт.
- Підтримка корекції помилок ECC лише на рівні чіпа.
- Підвищена енергоефективність шляхом використання сигналів low-swing (0,4 В) на інтерфейсі хоста та нижчої робочої напруги живлення 1,1 В.
- Специфікація HBM3 вже доступна для завантаження із сайту організації JEDEC.
